設備特點

◎ 用途:用于 HgCdTe 薄膜材料的液相外延生長

◎基片尺寸:max40mmx60mm

◎ 數量:每管爐次4片;

◎ 反應管內徑:中126mm;

◎ 控溫分區:四區獨立控溫;

◎ 最高工作溫度:750℃;

◎ 溫度控制精度:≤0.1℃

◎ 恒溫區長度:260mm;

◎ 恒溫區溫度均勻度:±0.2℃(400℃~550℃);

◎ 控溫方式:內控溫和外控溫

◎ 最小穩定降溫速率:≤0.1℃/min,±0.1℃

◎ 空載快速降溫速率:550℃-100℃，<90min

◎ 石墨舟:垂直進出反應管，升降自動

◎ 旋轉方向:順時針和逆時針

◎ 旋轉:基片支架可相對石墨舟或坩堝旋轉、浸液升降;

◎ 基片支架浸舟升降行程:>85cm

◎ 基片支架浸舟升降速度:1-10mm/

◎ 基片支架浸舟旋轉速度:0.5-5rmp

◎ 運動部位定位精度:≤0.5mm

◎ 抽速:整機抽到≤5Pa時間≤5min

◎ 整機極限真空:≤5Pa

◎ 真空檢漏靈敏度:1.0x10-12Pa.m3/S

◎壓升率:<25Pa/h

◎ 汞收集:排氣管路具有汞蒸氣冷凝回收冷阱

◎ 工藝過程:計算機全自動控制，人機工程設計，自動運行、操作方便;

軟件要求

系統控制軟件具備自動控制整個工藝流程的能力，設計有相應的等級限制，能夠自主設置控制工藝參數的

知悉范圍:具備手動控制功能，在自動控制出現問題時能手動控制保護熱處理材料及設備。

安全操作

具有H2 泄露檢測，報警、自鎖互鎖、清洗等功能;加熱溫度過熱、檢測、報警和聯鎖;斷水斷電斷氣互鎖等